Электронные компоненты
Конденсатор Тант.100uf 10V 10% D
Артикул : 112359
Производитель : VISHAY
45 ₽
Корпус:
7343-31
Типоразмер1:
D
Ёмкость:
100мкФ
Напряжение, В:
10
конденсатор чип 1210 X5R 100uF 20% 6.3V ( GRM32ER60J107ME20L )
Артикул : 108633
Производитель : MURATA
15 ₽
Корпус:
1210
Типоразмер1:
1210
Ёмкость:
100мкФ
Напряжение, В:
6,3
Температурный коэффициент емкости:
X5R
конденсатор чип 0805 X7R 1.0 uF 10% 10V ( GRM21BR71A105KA01L )
Артикул : 121601
Производитель : MURATA
10 ₽
Корпус:
0805
Типоразмер1:
0805
Ёмкость:
1мкФ
Напряжение, В:
10
Температурный коэффициент емкости:
X7R
конденсатор чип 1206 X7R 2.2uF 10% 50V ( CC1206KKX7R9BB225 )
Артикул : 122064
Производитель : YAGEO
12 ₽
Корпус:
1206
Типоразмер1:
1206
Ёмкость:
2,2мкФ
Напряжение, В:
50
Температурный коэффициент емкости:
X7R
конденсатор чип 1206 X7R 4.7uF 10% 10V ( GRM31CR61A475KA01L )
Артикул : 122403
Производитель : MURATA
12 ₽
Корпус:
1206
Типоразмер1:
1206
Ёмкость:
4,7мкФ
Напряжение, В:
10
Температурный коэффициент емкости:
X7R
Транзистор 2SJ162
Артикул : 134745
Производитель : Renesas
609 ₽
Корпус:
TO-3PN
Структура:
P-канал+D
Тип транзистора:
полевой (FET, MOSFET)
Предохранитель 520.617 (1.0А Быстр. Стекло) /5*20
Артикул : 103553
Производитель : ESKA
17 ₽
Корпус:
5*20
Транзистор IRFP054NPBF
Артикул : 135066
Производитель : INF
206 ₽
Корпус:
TO247
Структура:
N-канал+D
Тип транзистора:
полевой (FET, MOSFET)
Транзистор STB140NF75T4
Артикул : 135237
Производитель : ST Microelectronics
130 ₽
Корпус:
D2PAK/TO263
Структура:
N-канал+D
Тип транзистора:
полевой (FET, MOSFET)
Транзистор IRFP9140NPBF
Артикул : 107788
Производитель : INF
146 ₽
Корпус:
TO247
Структура:
P-канал+D
Тип транзистора:
полевой (FET, MOSFET)
Показывать по