Новый MOSFET-транзистор SCTW100N65G2AG на 650 В на карбиде кремния (SiC) от компании STM

Компания STMicroelectronics, один из мировых лидеров в производстве компонентов на карбиде кремния(SiC), продолжает развитие линейки высоковольтных транзисторов

SCTW100N65G2AG

Основное преимущество транзистора SCTW100N65G2AG по сравнению с аналогичными транзисторами, выполненными из другого материала и по другим технологиям – это высокие динамические характеристики и низкое сопротивление в режиме насыщения – 23 мОм при рабочей температуре 200 °С.
Транзистор SCTW100N65G2AG рассчитан на напряжение 650 В и на ток 100 А (при 25 °С) в отличие от SCT30N120 и SCT20N120, рассчитанных на 1200 В и токи 30 и 20 А соответственно.
Важное достоинство транзистора SCTW100N65G2AG – максимальный импульсный ток до 200 А.

 

Динамические характеристики и характеристики интегрального обратного диода:

Динамические характеристики 

ОбозначениеПараметрМин.Сред.Макс.Ед.изм.
Ciss Входная емкость Vds=400 В, f=1 МГц,
Vgs = 0 В
- 3600 - пФ
Coss Выходная емкость - 305 - пФ
Crss Емкость затвор-сток - 78 - пФ
Qg Суммарный заряд затвора Vds=400 В, Id=50 А,
Vgs = 0÷20 В
- 215 - нКл
Qgs Заряд затвор-исток - 32 - нКл
Qgd Заряд затвор-сток - 60 - нКл
Rg Сопротивление затворного резистора f=1 МГц, Id=0 А - 1,5 - Ом
Eon Потери при включении Vdd=400 В, Id=50 A
Rg=2,2 Ом, Vgs=-5÷20В
- 300 - мкДж
Eoff Потери при отключении - 250 - мкДж

 

Характеристики интегрального обратного диода

ОбозначениеПараметрМин.Сред.Макс.Ед.изм.
Vsd Постоянное прямое напряжение диода If=30 A, Vgs=0 В - 3,5 - В
trr Время обратного восстановления Isd=50 A,
di/dt=4000 A/мкс,
Vdd=400 В, Vgs=-5 В
- 28 - нс
Qrr Заряд обратного восстановления - 795 - нКл
Irrm Ток обратного восстановления - 44 - А

 

Транзистор доступен под заказ.

Высокий КПД при мощности до 5 кВт и на частотах 100 кГц, широкий диапазон рабочих характеристик, простота схемы управления и уменьшенные габариты при сопоставимых параметрах по сравнению с аналогичными компонентами, позволяют использовать MOSFET транзисторы на карбиде кремния в разработке электроприводов, инверторов, сварочных аппаратов и т.п.

SCTW100N65G2AG 2


Возврат к списку